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VishayHiRel固钽电容器为军工和航天系统提供内置熔丝无源器件分立半导体万芳

发布时间:2020-02-14 11:34:49 阅读: 来源:酚醛板厂家

Vishay Hi-Rel固钽电容器为军工和航天系统提供内置熔丝 - 无源器件/分立半导体 - 电子工程网

今天发布的电容器适用于武器和雷达系统、航空电子设备和太空用电子产品里的滤波器、去耦和储能应用。在这些安全攸关的应用里,为避免设备发生灾难性的故障,器件内置的熔丝在5A电流下,10ms内可执行保护动作,为保证激活进行了优化,同时避免虚假触发。T42采用了多阳极“镜像”结构,这种结构可以将ESR降低至少50%。器件里的每个内部阳极有一个专用熔丝,万一出现不太可能的故障情况下,熔丝使阳极不受影响,保持一定的电容。根据应用不同,这种容错设计能够实现降级的操作模式,而不至于完全丧失功能。

T42系列的外形尺寸为M2,采用Vishay专利的无引线框架多阵列封装(MAP)技术,能够提高单位体积内的电容量。器件采用玻璃加固的密封底座,去掉了有问题的J引线结构和有关的电流环路,从而使ESL比传统电容器减小2/3。这样就实现了的10μF~470μF高容量,±10%和±20%的公差,以及16VDC~75VDC电压。由于容量高于传统器件,使用这些电容器可减少整体的元器件数量,并简化设计。

T42系列的工作温度为-55℃~+85℃,在电压降额条件下温度可达+125℃,最大纹波电流为0.7A~1.8A。器件符合RoHS,提供完全无铅或锡/铅端接。

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